我国芯片制造核心装备取得重要突破

近日，一项重大科技成果在中国原子能科学研究院诞生。该院独立研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，其核心性能指标已经达到国际顶尖水平。这一里程碑式的突破，象征着我国已全面掌握了串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，成功攻克了功率半导体制造领域中的一项核心难题，对于推动高端制造装备的自主可控、保障产业链安全具有重大的现实意义。

长期以来，离子注入机作为芯片制造的四大核心装备之一，在半导体制造领域扮演着不可或缺的角色。尤其是在高能氢离子注入机方面，我国一直依赖国外进口，其研发难度极大，技术壁垒高耸，成为制约我国产业发展的瓶颈之一。

中国原子能科学研究院借助在核物理领域的深厚积累和数十年研究经验，以串列技术为核心，攻克了一系列技术难题，成功实现了从底层原理到整机集成的正向设计能力的全面掌握。这一重大突破，标志着我国在这一领域已经打破了国外企业的技术封锁和长期垄断，对于提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，实现“双碳”目标，加快新质生产力的发展提供了强有力的技术支撑。

这台成功研制的串列型高能氢离子注入机，不仅在技术上取得了重大突破，在应用领域也将带来革命性的变革。它的成功出束，将为我国的半导体制造业注入强大的活力，推动我国芯片制造技术的自主创新能力再上新台阶，为我国高科技产业的持续发展注入新的动力。