死磕8年烧光400亿 中国芯片迎来最大IPO
在2016年，朱一明的兆易创新成功在A股市场崭露头角，打破了国外在NOR Flash领域的长期垄断。这位1972年出生的企业家，早年以优秀的学术背景为背景，在美国留学后获得纽约州立大学石溪分校的硕士学位，并在硅谷存储公司积累了丰富的工作经验。
朱一明并未满足于在NOR Flash领域的成就，他的视线早已投向了更为广阔的DRAM市场。在这个市场中，三星、SK海力士和美光科技占据了超过90%的份额，年进口额高达数千亿元。对于朱一明来说，DRAM才是真正的“上的明珠”。
进军DRAM领域并非易事。这个领域的技术和资金壁垒极高，市场集中度极高，国产芯片几乎无法涉足。朱一明深知，要想在存储器市场占据一席之地，就必须攻克DRAM这个难关。但启动资金至少需要100亿元，且可能面临连续数年的投入而无回报。
正当朱一明为资金问题苦恼时，合肥这座被誉为“中国最强风投”的城市伸出了橄榄枝。合肥市对于摆脱“有屏无芯”的困境有着强烈的渴望，于是决定与兆易创新合作，共同打造长鑫科技。在兆易创新上市的同一年，合肥市与兆易创新共同出资约180亿元创立了长鑫科技，致力于DRAM业务的发展。
朱一明深知这是一个漫长而艰难的过程。为了追赶国际巨头，长鑫科技开启了烧钱模式。在随后的几年里，他们投入巨资进行技术研发和市场拓展。截至2025年6月30日，长鑫科技已经累计亏损超过亿元。
存储行业迎来了上行周期，长鑫科技的科创板IPO申请已经获得受理。这座被誉为“最强风投城市”的地方与一位硅谷归国创业者的合作，即将创造出一个巨大的IPO。
在全球半导体行业中，DRAM是当之无愧的核心领域，占比长期超过50%。而中国作为全球最大的DRAM市场，几乎完全依赖进口。朱一明深知，要想在这个领域取得突破，就必须拥有自主知识产权和核心技术。他立下军令状：在长鑫科技盈利之前，他不领取任何工资和奖金，全力以赴推进DRAM业务的发展。
在长鑫科技之前，中国已经尝试过多次突破DRAM垄断，但大多未能成功。长鑫科技的出现改变了这一局面。他们不仅在资金和技术上进行了大量投入，还注重专利的申请和保护。这是一个漫长而艰辛的过程，需要不懈的努力和坚持。
如今，长鑫科技已经取得了显著的进展，他们冲破垄断的希望越来越大。这一切都离不开朱一明的坚定信念和不懈努力，也离不开合肥市的大力支持。他们的合作创造了一个奇迹，也为中国半导体行业的发展带来了希望。
如今，存储行业迎来上行周期，长鑫科技的IPO也即将来临。这座被誉为“最强风投城市”的地方与一位硅谷归国创业者的合作，将成为开年的最大IPO。他们的故事将激励更多人为中国的半导体事业奋斗，为中国的科技强国梦想贡献力量。在过去的三十年里，三星、SK海力士和美光科技构建了庞大的知识产权网络，形成了一个难以渗透的壁垒。对于新加入的企业来说，稍有触及这个网络的风险，就可能陷入绵延不绝的法律纠纷之中。福建晋华的遭遇就是一个鲜明的例子，其产品研发计划因专利问题被迫中断，项目一度被搁置。
长鑫科技却以其独特的策略成功突破了这一壁垒。在技术上，长鑫科技选择了引进消化吸收再创新与自主研发相结合的道路。在项目初期，为了快速起步并规避专利风险，长鑫科技收购了德国奇梦达的内存专利，并将其融入自身的研发体系。奇梦达虽已破产，但其留下的技术专利为长鑫的起步提供了宝贵的支持。
长鑫科技的掌门人朱一明曾在GSA MEMORY+峰会上透露，公司从破产的奇梦达处获得了大量专利，并在此基础上进行创新，专利申请数量达到了惊人的16000个，还有超过1000万份、约2.8TB的DRAM技术文件。这些技术成果令人瞩目。
在获得奇梦达的技术支持后，长鑫科技投入巨额研发费用，重新设计芯片架构，将奇梦达遗留的46nm技术提升到了10nm级的水平。这一突破性的技术进展使得长鑫科技在半导体领域取得了重大突破。
2019年9月，长鑫科技宣布其采用19nm工艺的8Gb DDR4产品投产，这标志着中国企业首次掌握了主流DRAM产品的量产能力，打破了长期以来国外在此领域的垄断局面。
这一年对于长鑫科技来说具有里程碑意义。随着技术突破，资本也迅速向长鑫科技聚集。国家大基金二期、小米产投、君联资本等知名机构纷纷入场。2021年，融资盛况空前，最终长鑫科技的估值飙升至超390亿元，成为备受瞩目的“超级独角兽”。
在资金的支持下，长鑫科技的技术布局加速落地。成功研发并投产了更先进的工艺，推出了首款国产LPDDR5产品，并进入了小米、传音等品牌手机的供应链，实现了国产内存从PC端向高端移动终端的跨越。
尽管长鑫科技取得了显著的成绩，但从市场份额来看，其在全球DRAM市场的地位仍然是一个新手。据统计，长鑫科技在全球DRAM市场中占据的份额为3.97%，虽然位列全球第四，但与前三大巨头三星电子、SK海力士、美光科技相比，其市场份额仍然十分有限。
在DRAM这样的行业中，市场份额意味着强大的议价权和周期承受力。尤其是在价格下行周期，巨头可以通过规模和成本优势对冲冲击，而新玩家往往只能被动承受周期冲击。这也直接影响了长鑫科技的财务表现。虽然其销量实现大幅增长，但由于行业周期的影响以及技术与产品结构的挑战，长鑫科技仍然面临着较大的亏损压力。
尽管如此，长鑫科技仍在不断努力突破自身的局限。在制程工艺上，长鑫科技正在不断追赶行业巨头，同时在产品结构上也在寻求新的突破。尽管在HBM领域仍处于从0到1的突破阶段，但长鑫科技仍在不断攻克新的技术难关。
长鑫科技仍面临诸多挑战，但其在技术和产品上的突破以及坚持不懈的努力让人们对其未来充满期待。在全球电子产业的新一轮技术革新中，三星、SK海力士和美光等巨头已经不仅仅是在DDR5领域快速领跑。他们已经在高端DRAM产品如HBM2和HBM3上取得了显著进展，并实现大规模出货。这些公司与GPU和CPU制造商建立了紧密的合作关系，牢牢控制了AI算力产业链中最具价值的环节。这种地位无疑展现了他们在技术演进和市场布局中的前瞻性和强大实力。
相比之下，长鑫科技目前的产品仍主要以通用型DRAM为主，虽然已经开始向HBM等高端产品推进，但在AI核心应用中的渗透率仍然有限。追赶之路充满了挑战，从研发验证、提升良率，到实现规模化商业落地，这是一个周期长、投入巨大的过程。从另一个角度看，长鑫科技并非没有机会。
AI算力的浪潮正在改变DRAM的需求结构。随着AI服务器、数据中心和高性能计算市场的快速发展，对内存容量和带宽的需求急剧上升，这为DRAM行业提供了新的增长点。内存价格的回升以及销量的增长，已经为长鑫科技带来了积极的市场预期。
据预测，到2025年，长鑫科技有望实现营业收入550亿元至580亿元，同比增长超过1倍。更令人瞩目的是，预计净利润将实现扭亏为盈，达到20亿元至35亿元。这是一个关键的历史拐点，标志着长鑫科技在DRAM产业中的崛起。
真正的挑战在于长鑫科技能否抓住这个机遇，在技术和产品结构上实现质的飞跃。这不仅关系到公司是否能迎来盈利，更决定了它在全球DRAM产业中能够赢得多大的市场份额。这是一场技术与市场的双重考验，也是一场关乎公司未来的战略博弈。长鑫科技必须持续创新，不断突破技术壁垒，优化产品结构，以适应不断变化的市场需求。只有这样，它才能在全球DRAM产业中占据一席之地，并不断扩大其市场份额。